Ga - As Tunnel - Diode 3I 306 R

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Beschreibung

eine Ga - As Tunnel - Diode 3I 306 R

( 3И306Р ) aus russischer Produktion.

Die Daten:

IP - Peak Point Current
VP      - Peak Point Voltage
CT - Valley Point Terminal Capacitance
VPP     - Projected Peak-Point Voltage
IP/IV   - Peak to Valley Current Ratio
IFS         - Forward Current Switching Mode
IFC         - Forward Current Constant Mode
IR           - Reverse Current
TE          - Environment Temperature

		Maximal parameters				Average parameters			TE
		Т=25°C				Т=25°C
IP	VP	CT	VPP	*r_п.*	IP/IV	IFS	IFC	IR	°C
mА	mV	pF	mV	*Ohm*		mА	mА	mА
4.5...5.5	170	4...25	850	-	8	6	4.5	10	100

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