Ga - As Tunnel - Diode AI 201 G ( 20 mA ! )

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Beschreibung

eine Ga - As Tunnel - Diode AI 201 G

( АИ201Г )   aus russischer Produktion.

Die Daten:
IP - Peak Point Current
VP       - Peak Point Voltage
CT - Valley Point Terminal Capacitance
VPP     - Projected Peak-Point Voltage
RD     - Differential Resistance
IP/IV - Peak to Valley Current Ratio
IR         - Reverse Current
TE        - Environment Temperature

		Maximal parameters				Average parameters			*Т_k.мах*
		Т=25°C				Т=25°C			*(Т_п.)*
IP	VP	*С_T*	*L_d*	RD_.	*I_p./I_v*	VF	*прi*	*I_R.*	°C
(*DIp)*
mА	mV	pF	*nGn*	*Ohm*		mV	mА	*mkА*

210

1.3

450

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