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ein Germanium - Transistor GT 320 B

( ГТ 320 Б )

( = 1 T 320 B = 2 N 711 = PNP - UCB 20 V - UCE 12 V - 200 mA - 200 mW - 80 MHz - hFE min. 50...120 )

aus russ. Produktion